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高功率UV LED於半導體 曝光製程的性能評估

曝光機(Mask Aligner/Stepper)廣泛應用於微米範圍結構的光刻(lithography)製程,如先進半導體封裝(bump/RDL)、微米光學元件、高階被動元件、LED、MEMS等。在曝光機中,其光源系統對於製作高品質的線路/圖案至為關鍵,其照射(Illustration)均勻度、照射角度的分佈(angular distribution of radiation)都對曝光品質有很大影響,而照射強度則決定了曝光時間的長短。350-450 nm光譜範圍傳統上是使用汞燈光源,然而這種光源存在許多缺點,導致它們已經過時,諸如體積龐大;含汞,不環保;電光功率轉換效率低;約需30分鐘的預熱時間,因此電源需要長開;燈管使用壽命短,約1000 小時。

隨著LED技術的進展,近年來市場上出現了相關波長範圍的高功率LED,為曝光機實現更佳曝光性能打開了新的大門。但由於汞燈光源的使用數十年來已建立了一套可運行的產業鏈生態,包含各種光學元件的配套、光阻(光刻膠)的配方、製程的優化等等,因而對於新光源技術的導入總存在是否匹配現有生態供應鏈的顧慮。

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